Samsung wyprodukował pierwszy tranzystor w technologii 3 nm GAAFET

To spora zmiana w dziedzinie półprzewodników, gdyż stanowi odejście od forsowanej od paru ostatnich lat technologii FinFET. Jak wynika z oficjalnych danych, technologia 3 nm GAAFET, względem 5 nm FinFET, pozwala zredukować rozmiar czipu o 35 proc., a jednocześnie zużycie energii o 50 proc.